真空烧结炉-V5D

\n

产品名称：真空烧结炉-V5D

\n

产品分类：真空烧结炉

\n

产品概述

\n

真空烧结炉-V5D是中科同帜半导体专为高精度半导体封装与先进陶瓷烧结研发的高端设备。该炉采用全金属热场与智能控温系统，可在高真空环境下实现均匀加热与快速冷却，确保产品致密度与电性能。其模块化设计支持灵活配置，广泛适用于功率器件、LED基板与精密陶瓷的真空烧结工艺。

\n

工艺原理

\n

真空烧结炉-V5D基于真空环境下的热扩散与物质迁移原理：在真空状态下，炉内氧分压极低，有效抑制氧化反应；通过电阻加热元件将工件加热至烧结温度，促使粉末颗粒间形成颈缩并致密化。结合程序控温与惰性气体回填，可精确控制升温速率、保温时间与降温曲线，从而获得高纯度、高强度的烧结体。

\n

应用场景

\n

\n
• 半导体功率模块（IGBT/SiC）的真空焊接与烧结封装
\n
• 氧化铝、氮化铝等精密陶瓷基板的金属化与共烧
\n
• LED芯片与光学元件的无氧封装及退火处理
\n

\n

技术特点

\n

\n
• 高真空度：极限真空可达5×10⁻⁴ Pa，有效去除气体杂质
\n
• 多段智能控温：PLC+触摸屏控制，支持32段工艺曲线编程
\n
• 快速冷却系统：内置循环水冷与风冷双模式，缩短工艺周期
\n
• 全金属热场设计：无陶瓷纤维脱落风险，适合洁净环境
\n
• 安全冗余保护：超温、超压、断水多重报警与自动停机
\n

\n

技术参数

\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n

参数	数值
型号	V5D
极限真空度	≤5×10⁻⁴ Pa
最高工作温度	1600℃
控温精度	±1℃
升温速率	0~20℃/min（可调）
有效加热区尺寸	Φ500×600 mm
冷却方式	水冷+风冷
电源要求	三相380V / 50Hz
设备重量	约2.8吨

\n

如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。