热压键合机——TCB350

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产品名称：热压键合机——TCB350

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产品分类：晶圆键合机

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产品概述

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热压键合机TCB350是一款面向先进封装与3D集成的高精度晶圆键合设备，专为满足半导体行业对超薄芯片堆叠、异质集成及高可靠性互连的需求而设计。该设备通过精确控制温度、压力与对位系统，实现晶圆级或芯片级的无空洞键合，广泛应用于存储器、逻辑芯片及MEMS器件制造。TCB350凭借其卓越的工艺稳定性和高产出效率，已成为先进封装产线中的关键工艺节点设备。

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工艺原理

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TCB350热压键合机基于热压键合（Thermocompression Bonding）原理，通过同时施加精确控制的加热温度与机械压力，使晶圆或芯片表面的金属凸点（如铜、金）发生塑性变形与原子间扩散，形成牢固的冶金连接。设备采用独立控温的双加热系统，确保上下加热板温差极小，配合高精度力控伺服机构，可在数秒内完成键合过程，有效避免热应力导致的芯片翘曲或损伤，实现高一致性、低电阻的互连界面。

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应用场景

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• 3D NAND与高带宽存储器（HBM）的晶圆堆叠键合
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• 先进封装中的芯片对晶圆（CoW）及晶圆对晶圆（WoW）混合键合
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• MEMS与传感器器件的真空或气氛环境热压封装
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技术特点

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• ±0.5°C高精度温度控制，支持多段升温曲线编程，适应不同材料热膨胀系数
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• 力控精度达±1%FS，压力均匀性优于95%，避免键合界面空洞产生
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• 亚微米级对位系统，结合光学对准与主动补偿，满足2μm以下键合精度要求
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• 集成惰性气体保护与真空腔体，防止键合过程中金属氧化，提升界面可靠性
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• 模块化设计支持快速换型，兼容8英寸与12英寸晶圆，适配多种金属凸点工艺
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技术参数

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参数	数值
适用晶圆尺寸	8英寸 / 12英寸
键合温度范围	室温 ~ 450°C
温度控制精度	±0.5°C
键合压力范围	10N ~ 5000N
压力均匀性	≤ ±3%
对位精度	≤ ±1.5μm
腔体真空度	≤ 1×10⁻³ mbar
键合周期时间	＜ 30秒（标准工艺）
设备尺寸（宽×深×高）	1800mm × 1600mm × 2200mm

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如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。