全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——X-SIN350
\n产品名称：全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——X-SIN350
\n产品分类：银烧结铜烧结
\n产品概述
\n全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——X-SIN350，是专为第三代半导体封装及功率模块烧结研发的高端设备。该设备整合纳米银与纳米铜烧结工艺，在正压环境下实现低温连接与高温服役。X-SIN350凭借其全自动操作系统与精准温控，显著提升银烧结与铜烧结的致密性与可靠性，并广泛应用于IGBT、SiC器件等领域。作为银烧结铜烧结领域的核心设备，X-SIN350确保烧结层无空洞，热导率与导电性优异，满足高功率、高可靠封装需求。
\n工艺原理
\n全自动纳米银/纳米铜正压烧结炉——X-SIN350基于纳米金属颗粒的低温烧结原理。在正压条件下，纳米银或纳米铜浆料中的有机溶剂被快速排出，同时颗粒表面活性增强，通过原子扩散形成致密连接层。X-SIN350通过精确控制升温曲线与压力，使银烧结或铜烧结在远低于传统钎焊温度下完成，避免热应力损伤。正压环境抑制空洞产生，确保烧结层致密化，从而实现高导热、高导电与高可靠性连接，特别适用于银烧结铜烧结工艺中热敏感器件封装。
\n应用场景
\n- \n
- 大功率IGBT模块与SiC MOSFET的银烧结/铜烧结封装 \n
- 车规级功率半导体模块的高可靠性银铜烧结连接 \n
- 航空航天及高功率微波器件中纳米银/纳米铜烧结散热基板焊接 \n
技术特点
\n- \n
- 全自动闭环控制系统：支持银烧结与铜烧结一键切换，工艺参数自动匹配，减少人为误差 \n
- 正压烧结环境：最大压力可达10MPa，有效抑制空洞，确保银烧结/铜烧结层致密度超过99% \n
- 精准温控模块：采用多区独立加热，控温精度±1℃，满足纳米银/纳米铜烧结曲线苛刻要求 \n
- 高洁净度腔体：内置惰性气体保护系统，防止纳米铜氧化，保障铜烧结质量稳定 \n
- 快速冷却与批量产能：配备高效冷却系统，单次烧结周期缩短30%，提升银烧结铜烧结生产效率 \n
技术参数
\n| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 最大烧结压力 | 10 MPa（可调） |
| 温度范围 | 室温～400℃ |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 升温速率 | 0～50℃/min |
| 烧结腔体尺寸 | 350mm × 350mm × 100mm |
| 适用浆料 | 纳米银浆、纳米铜浆 |
| 保护气氛 | N₂、Ar（可选H₂/N₂混合气） |
| 电源规格 | AC 380V / 50Hz，三相五线 |
| 设备重量 | 约1200 kg |
| 外形尺寸（L×W×H） | 1800mm × 1200mm × 1800mm |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
