纳米银正压烧结炉——SIN350S
\n产品名称：纳米银正压烧结炉——SIN350S
\n产品分类：银烧结铜烧结
\n\n产品概述
\n纳米银正压烧结炉——SIN350S是专为第三代半导体功率器件封装设计的高端设备，采用纳米银浆在正压环境下实现低温连接与高温服役的烧结工艺。该设备通过精确控制压力、温度与气氛，确保银烧结层致密无孔洞，满足铜烧结及银烧结工艺对高可靠性与高导热性的严苛要求。中科同帜凭借多年技术积累，为功率模块、IGBT及碳化硅器件提供稳定高效的烧结解决方案，助力国产半导体封装工艺升级。
\n\n工艺原理
\n纳米银正压烧结炉——SIN350S基于纳米银颗粒在压力辅助下的低温烧结原理，利用纳米银的高表面能，在远低于银熔点的温度（约250℃）下实现颗粒间颈缩与致密化。设备施加轴向正压力，促进银层内部微孔闭合，形成接近块体银的高导热、高导电连接层。同时，通过惰性气氛保护防止氧化，确保烧结质量一致，适用于银烧结与铜烧结双工艺兼容场景。
\n\n应用场景
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- 第三代半导体（SiC/GaN）功率器件封装中的银烧结与铜烧结工艺 \n
- 高功率IGBT模块芯片贴装及DBC基板连接 \n
- 航空航天、新能源汽车电控系统的高可靠性封装 \n
技术特点
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- 正压烧结工艺：最大压力可达20MPa，有效消除烧结层孔隙率，热导率>200W/mK \n
- 高精度温控系统：采用多段独立加热区，温度均匀性±5℃，满足纳米银与纳米铜浆料工艺窗口 \n
- 惰性气氛保护：自动充氮/氩气系统，氧含量<50ppm，防止氧化烧结缺陷 \n
- 模块化夹具设计：可兼容多种基板尺寸（最大8英寸晶圆），支持快速换型 \n
- 全流程数据追溯：实时记录压力、温度、气氛曲线，支持MES对接与工艺配方管理 \n
技术参数
\n| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 最大烧结压力 | 20 MPa（可调） |
| 最高工作温度 | 400℃ |
| 温度均匀性 | ±5℃（200℃-350℃范围） |
| 腔体尺寸 | 350mm × 350mm（SIN350S型号） |
| 气氛控制 | N₂/Ar自动切换，氧含量≤50ppm |
| 升温速率 | 0.1-10℃/s 可编程 |
| 设备电源 | AC 380V / 50Hz，三相五线 |
| 外形尺寸 | 1200mm × 900mm × 1800mm（长×宽×高） |
如需了解更多产品详情，请联系中科同帜半导体。
