随着新能源汽车产业快速发展，车规级SiC MOSFET模块的需求量大幅增长。中科同帜半导体针对车规级SiC模块封装的特殊工艺需求，提供真空封装整线方案，涵盖真空共晶焊接、银烧结、甲酸回流焊等核心工艺，助力客户实现高良率、高可靠性的车规级SiC模块量产。
车规级SiC模块封装挑战
车规级SiC模块封装面临以下关键挑战：
- 高温工作环境：SiC芯片工作温度可达200°C以上，要求焊接层耐高温
- 高功率密度：需要低热阻连接，确保散热性能
- 车规可靠性：需通过AEC-Q101认证，包括温度循环、功率循环等测试
- 低空洞率：焊缝空洞率需控制在<5%，确保散热和可靠性
- 量产一致性：大批量生产需要稳定的工艺和设备一致性
整线方案构成
中科同帜半导体的车规级SiC模块真空封装整线方案包含以下核心设备：
- 真空共晶炉：SiC芯片与DBC基板共晶焊接，空洞率<3%
- 银烧结设备：芯片背面银烧结连接，耐温可达300°C以上
- 真空回流炉：端子焊接与大尺寸焊料片焊接
- 甲酸炉：还原气氛下无助焊剂焊接
- 真空等离子清洗机：焊前表面处理，提升润湿性
工艺优势
该整线方案具有以下工艺优势：
- 全真空环境焊接，空洞率极低
- 银烧结工艺替代传统焊料，耐温性能优异
- 甲酸还原气氛无需助焊剂，避免残留腐蚀
- 自动化产线设计，提高量产一致性
- 工艺参数可追溯，满足车规质量管理体系要求
适用客户群体
本方案适用于以下客户：
- 新能源汽车电控模块制造商
- SiC功率模块封装厂
- 车规半导体IDM企业
- 功率器件封测代工厂
- 科研院所SiC封装研发团队
