射频MEMS器件（如RF开关、可变电容、滤波器）在5G通信、雷达、物联网等领域应用广泛。中科同帜半导体提供射频MEMS真空键合成套方案，确保RF MEMS器件的高频性能和长期可靠性。
RF MEMS封装技术要求
射频MEMS封装有以下技术要求：
- 低损耗：封装材料和互连需保持低高频损耗
- 气密性：RF MEMS机械结构需在真空或惰性气体中工作
- 低寄生参数：封装引入的寄生电容/电感需最小化
- 电磁屏蔽：防止外部电磁干扰
真空键合工艺
中科同帜半导体的RF MEMS真空键合方案：
- 晶圆级真空键合：硅-玻璃或硅-硅键合，形成气密封装
- 共晶键合：AuSn共晶焊，兼顾气密性和低损耗
- 真空等离子清洗：键合前表面处理
- TSV互连：硅通孔实现低寄生互连
设备配置
- 真空晶圆键合机
- 真空共晶炉
- 真空等离子清洗机
- 高频测试系统
应用领域
- 5G通信RF前端模块
- 相控阵雷达
- 卫星通信终端
- 物联网射频模块
- 毫米波传感器
