新能源汽车的电驱系统对功率器件封装提出了更高的要求。中科同帜半导体提供车载功率器件封装整套产线方案，覆盖SiC MOSFET和IGBT模块从芯片到模块的全工艺流程。
车载功率器件封装趋势
车载功率器件封装呈现以下发展趋势：
- 从IGBT向SiC转型：更高效率、更高工作温度
- 双面散热结构：提升散热性能
- 银烧结替代焊接：耐高温、低热阻
- 铜线键合替代铝线：更好导电性和导热性
- 系统集成化：减少封装层级，降低热阻
整线工艺方案
中科同帜半导体的车载功率器件封装产线包含以下核心工艺：
- 真空共晶焊接：芯片与DBC基板焊接
- 银烧结：芯片背面连接，耐温300°C+
- 铜线键合：高导电互连
- 真空塑封：模块灌封保护
- 甲酸回流焊：端子焊接
- 真空等离子清洗：焊前表面处理
核心设备
整线配置的关键设备：
- 真空共晶炉：MS系列金属热板真空共晶炉
- 银烧结设备：压力辅助银烧结
- 真空回流炉：大面积焊接
- 甲酸炉：无助焊剂焊接
- 真空等离子清洗机：表面活化
- 自动化传输系统：产线物流
适用客户
- 新能源汽车电控模块厂
- 车规功率模块封测厂
- 汽车电子Tier1供应商
- 功率器件IDM企业
